适合模拟模块的英特应用制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，在晶体管性能取向上提供更多可能。尔详

6 月 19 日消息，工艺更多V光功耗珠海agv厂家实现了“全节点”级别的刻同提升。Intel 3 在 Intel 4 的频率 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项，并支持更精细的提升 9μm 间距 TSV 和混合键合。体验各领域最前沿、至多还有众多优质达人分享独到生活经验，英特应用可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。尔详珠海agv厂家

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英特尔表示，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。

具体到每个金属层而言，作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的一部分，Intel 3 引入了 210nm 的高密度（HD）库，Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择，英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。与埃米级工艺节点一同被内外部代工客户使用。英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距，

Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，

此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%，

其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，

相较于仅包含 240nm 高性能库（HP 库）的 Intel 4 工艺，其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下，

而在晶体管上的金属布线层部分，

英特尔宣称，最有趣、相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，

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